＜祢津茂義　常務執行役員　研究開発部長＞

　信越化学工業の研究開発には、１００年の歴史を経て現在展開している事業の強化を図る「現業研究」と、将来の新事業を目指す「新規研究」の両面がある。新規研究では半導体関連材料、高速通信、ヘルスケア、持続可能な開発目標（ＳＤＧｓ）とカーボンニュートラル（ＣＮ）に貢献できる素材・材料を重点分野としている。

　とりわけ人工知能（ＡＩ）関連の製品開発に注力している。当社は、シリコンウエハーやレジスト、ブランクス、光通信用ファイバー原料、ハードディスク用磁性材料など、データセンターやＡＩの発展に欠かせない材料を提供するＡＩ関連企業と自負しているためだ。

　単独研究はもちろん、大学など外部研究機関や顧客との連携も積極的に進めている。科学技術振興機構（ＪＳＴ）が公募した「次世代エッジＡＩ半導体研究開発事業」において、採択された東北大学が主導する「３Ｄ集積技術」に参画を決めたことがその一例だ。当社のレーザー装置技術を基盤とし、３Ｄヘテロ集積技術の革新につながる高速・高精度かつユニークな実装技術開発を広範囲に加速したい。

　窒化ガリウム（ＧａＮ）基板では、高耐圧化が進展してきた。当社製３００ミリメートル口径の「ＱＳＴ基板」を用いて外部機関が形成したデバイスで、８００ボルトの耐圧を確認した。さらに、当社での種結晶の改善により、口径２００ミリメートル以下では３０００ボルト以上の耐圧も確認した。非常に大きな成果だ。２０２７年にＧａＮ基板の量産化を目指す。

　半導体製造の後工程とつながる光電融合の分野では、光アイソレーターで長年の開発を開花させられる市場環境が到来しそうだ。当社はこのほか、光ファイバー用プリフォーム、シリコーンベースの放熱材料（ＴＩＭ）や接着剤、基板材料となるＳＯＩ、封止剤やプロセス内で使用される仮接着剤など有機部材、さらに結晶の貼り合わせ技術といった多様な開発を手掛けてきた。これらの知見や特性を掛け合わせて新たな価値を創出可能だ。技術の進展がめまぐるしい領域で、顧客からの要求へスピード対応が欠かせないなか、計算科学やＡＩも活用して新規研究を加速し、ＡＩ関連企業としての役割をさらに高めていきたい。